ZnO-TFT研究进展

摘要：

将ZnO材料作为活性应用到薄膜晶体管(TFT)中,做成的器件具有十分优异的性能,逐渐受到更多的研究和关注.本文论述了ZnO材料的基本性质、ZnO-TFT的结构与工作原理,并分析了ZnO-TFT的性能参数,指出了ZnO-TFT的性能优点与存在问题.

关键词： 薄膜晶体管 ZnO薄膜 迁移率

作者: 徐征 许洪华 陈跃宁 黄金昭 袁广才 孙小斌

作者单位: 北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044 辽宁大学物理系,沈阳110036

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006中国平板显示学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 359-362

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）