氧化铟锡(ITO)薄膜制备工艺参数的正交优化设计

摘要：

利用水热的方法制备了ITO透明导电薄膜,通过正交试验设计研究镀膜工艺因素对薄膜光电特性的影响规律.试验结果表明:影响薄膜光电性能的主要因素是前驱物浓度,其次是氨水浓度和保温温度,保温时间对薄膜光电性能的影响较小.得出采用水热法制备ITO薄膜时,前驱物浓度为0.5mol/l、氨水浓度为3mol/l、保温温度为160℃、保温时间8h,沉积薄膜的性能较好.

关键词： 氧化铟锡 水热法 正交试验

作者: 职利 徐华蕊 周怀营

作者单位: 桂林电子工业学院,信息材料科学与工程系,广西,桂林,541004

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006中国平板显示学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 197-199

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）