Al2O3薄膜的制备及在无机EL的应用
Al2O3薄膜是最为成功的无机EL绝缘薄膜之一.用脉冲反应溅射法制备了厚为50-340 nm的Al2O3薄膜.研究了功率密度、气压和氧气含量等参数对薄膜沉积速率和介电性能的影响.发现在较低功率密度、气压和较高氧气含量下沉积的薄膜的品质因子较好.同时与电子束蒸发的Al2O3薄膜的介电性能作了比较,脉冲反应溅射制备的Al2O3薄膜的漏电流密度要低两个数量级.把上述薄膜应用于ZnS: Mn TFEL器件中,获得了最好的耐压大于320 V、亮度达1760 cd·m-2.
脉冲反应溅射 电子束蒸发 氧化铝薄膜 沉积速率 介电性能 无机EL器件
徐毅 林明通 陈涛 肖田 黄浩 陈晨曦
上海广电电子股份有限公司平板显示技术研究开发中心,上海200081
国内会议
北京
中文
355-358
2006-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)