ZnO基薄膜晶体管的研究
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等.ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中.ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80％以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可于较低温度(甚至室温)下制备.基于这些优点,ZnO TFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-Si TFT的趋势.同时对ZnO TFT的研究也推动了透明电子学的发展.本文阐述了ZnO TFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望.
ZnO 薄膜晶体管 迁移率 有源矩阵液晶显示器 开口率
程松华 曾祥斌
华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
国内会议
北京
中文
219-223
2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）