锡掺杂对ITO膜方阻和结构的影响

摘要：

以铟、锡氯化物为前驱物,采用溶胶-凝胶法在玻璃基体上制备不同锡掺杂的ITO膜,在热处理温度为4500C条件下制备不同锡掺杂(11-33 wt.％)的ITO膜,研究锡掺杂对ITO膜方阻和结构特性的影响.用四探针法测量ITO膜的方阻并对样品进行X射线衍射分析,结果表明:锡掺杂量在20wt.％时ITO膜的方阻最小,不同锡掺杂的ITO膜均为立方铁锰矿结构,锡掺杂会影响ITO膜晶粒尺寸、晶格常数和晶面取向等结构特性,ITO膜的晶粒较大、晶格畸变小、择优取向小时薄膜方阻较小.

关键词： 氧化铟锡膜 溶胶-凝胶法 锡 X射线衍射分析

作者: 马颖 吕庆莉 张方辉 袁桃利 张麦丽

作者单位: 陕西科技大学电气与电子工程学院,陕西,咸阳,712081 陕西科技大学计算机与信息工程学院,陕西,咸阳,712081

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006中国平板显示学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 205-208

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）