Cat-CVD法制备硅薄膜及其在TFT中的应用进展
目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,其在制备高迁移率的TFT的应用就受到了限制,新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高﹑原料气体利用效率高﹑衬底温度低﹑生长的薄膜致密﹑电学特性好等优点,将更有希望成为TFT用硅薄膜制备的新技术.文章对Cat-CVD法的工作机理及其在TFT中的应用进展进行了详细总结,归纳了各种催化丝材料,并对当前Cat-CVD技术研究中的不足及其以后的研究发展进行了讨论.
硅薄膜 薄膜晶体管 化学气相淀积法
刘少林 邹兆一 庞春霖 付国柱 邱法斌
吉林大学,电子科学与工程学院,吉林,长春,130012;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130031 吉林大学,电子科学与工程学院,吉林,长春,130012 清溢精密光电(深圳)有限公司,广东,深圳,518057 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130031
国内会议
北京
中文
180-185
2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）