纳米硅量子点薄膜内部电场的有限元模拟
采用ANSYS有限元计算程序,对纳米硅量子点薄膜内部的电场强度进行了模拟计算,研究了纳米硅量子点半径、纳米硅薄膜厚度、量子点外围材料的介电常数和量子点之间的距离与纳米硅薄膜内部电场强度的关系.计算结果表明,当量子点半径小于10nm时,电场强度几乎不随半径改变;当纳米硅薄膜的厚度增大时,电场强度会反比例减小;当量子点间距增大时,量子点的尖端电场会减小,而量子点的内部电场和外围电场几乎没有变化;当量子点外围材料的相对介电常数减小时,量子点的尖端电场和外围电场会增大,而量子点的内部电场会减小.
纳米硅 量子点 场致发射 有限元方法
王云峰 周庆瑜 肖夏 姚素英
天津大学电子信息工程学院,300072,天津
国内会议
北京
中文
169-171
2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）