化学机械抛光的三体微观接触模型
提出一种新的化学机械抛光(CMP)中软抛光垫的三体非线性微观接触模型.该模型的建立基于Sneddon”s方程理论,而非传统的Hertz接触理论.同时,模型中考虑了黏着磨损效应.研究单个磨粒压入软抛光垫的大变形弹性变形规律和单个磨粒压入芯片的塑性变形规律.在此基础上,应用力平衡理论导出单个磨粒压入芯片的深度、芯片表面硬度、抛光垫弹性模量的模型关系,进一步建立CMP中单个磨粒的材料去除率关系.在不同的ζ值下,本模型和ZC模型就接触力和压入深度的预测结果进行了比较.结果表明:在同样的参数条件下,本模型的预测结果比ZC模型预测的压入深度小,且两者的差异随ζ的增大而增大.本模型的预测结果更加充分的解释了化学机械抛光中非连续单分子层材料去除机理,说明黏着磨损可以降低材料去除率.
化学机械抛光 非线性接触 软抛光垫 芯片 表面加工 微观接触模型 黏着磨损效应
王永光 白静 赵永武 顾坚
江南大学,机械工程学院,江苏,无锡,214122
国内会议
哈尔滨
中文
283-285,289
2006-07-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）