热处理条件对硅/碳化硅材料相与组织的影响

摘要：

分别于真空和氮气气氛中,在1650,1750,1850℃对硅/碳化硅材料进行高温处理,通过光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射分析手段,研究了硅/碳化硅材料的组织的变化.结果表明,氮气氛下处理,α子晶在界面能驱动下,通过基面以层状形式不断聚合长大,最终完全”吞食”所包裹的β-SiC来完成相转变的;在真空条件下,除了前一种方式外,还有一定的蒸发-凝聚烧结机制存在,二者同时作用使得真空比氮气条件下有较快的β-SiC转化速度.转化驱动力随温度的上升而提高.1850℃氮气环境下处理的材料仍有少量β-SiC相存在,而真空1750℃处理后就能得到单一的α-SiC相多孔材科.

关键词： 硅 碳化硅 热处理条件 显微组织 相组成

作者: 李世斌 马明亮 李养良 金志浩

作者单位: 九江学院材料科学与工程系,江西,九江,332005 西安交通大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国典型零件热处理学术及技术交流会暨第六届全国热处理学会物理冶金学术交流会

会议地点: 安徽马鞍山

会议语种:中文

页码: 161-165

在线出版日期: 2006-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）