160×128元多量子阱长波红外焦平面探测器件研制

摘要：

报道了在国内首先研制出160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件.用MBE的方法在半绝缘GaAs衬底上生长器件结构;开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术;开发了探测器芯片与读出电路互联技术.在77K时测试,器件的平均峰值探测率Dλ*=1.28×1010cmW-1Hz1/2,峰值波长为lp=8.1μm,截止波长为lc=8.47μm.器件的非盲元率(operabilty)≧98.8％,不均匀性10％.

关键词： 长波红外探测器 量子阱 焦平面阵列

作者: 种明 苏艳梅 张艳冰 胡小燕 马文全 孙永伟 陈良惠

作者单位: 中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室,北京,100083 中国电子科技集团第十一研究所,北京,100015

会议类型: 国内会议

会议名称: 二〇〇六年全国光电技术学术交流会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 650-653

在线出版日期: 2006-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）