AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器暗电流特性

摘要：

介绍了AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径;基手湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm台面单元器件,并用变温液氦杜瓦测试系统在不同温度下对红外探测器暗电流进行了测试并分析.在温度小于40K时,随着温度的改变暗电流没有明显的变化;当温度大于40K时,暗电流随着温度的升高迅速变大,正、负偏压下QWIP暗电流具有不对称特性。

关键词： AlGaAs GaAs 量子阱红外探测器 暗电流 噪声 湿法化学腐蚀工艺

作者: 赵永林 李献杰 蔡道民 周洲 郭亚娜 韩丽丽

作者单位: 中国电子科技集团公司,第十三研究所,河北,石家庄,050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 二〇〇六年全国光电技术学术交流会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 618-621

在线出版日期: 2006-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）