锑化铟磁阻型红外光电传感器及其特性研究
介绍了锑化铟磁阻型光电传感器的结构及工作原理,并对锑化铟磁阻型光电传感器的输出特性进行了研究;随着间隙由0mm增至5mm,放大后的光电传感器输出电压峰峰值由3V多急剧下降至500mV以下;若使输入光脉冲电压的频率保持50Hz不变,改变红外发光二极管输入光脉冲电压(变化范围Vpp为3.8～5.0V),测量磁阻型光电传感器输出电压峰值Vpp随输入光脉冲电压的增加按指数规律增加;磁阻型光电传感器的中心频率为50Hz,通频带为46～55Hz,即通频带宽度为9Hz,可得其品质因数Q为5.56。
锑化铟 磁阻型 红外光电传感器 结构原理
吴闽 黄钊洪
华南师范大学,光电子学院光子信息技术省教育厅重点实验室,广东,广州,510006
国内会议
成都
中文
608-613
2006-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）