改变背景辐射研究碲镉汞中波光导探测器低频噪声

摘要：

针对工程研发中发现的两种碲镉汞中波光导探测器1KHz下噪声在封装前后变化幅度不同的现象,通过改变背景辐射条件测量得到了两种器件的低频噪声频谱.对两种器件的低频噪声频谱分析表明,噪声大的器件在改变背景辐射条件前后都以1/f噪声为主.为探明较大1/f噪声的来源问题,对器件铟金电极的成份做了SIMS测试.分析测试结果发现,噪声性能较差器件的电极中含有大量的杂质铝及锌,表明由于电极成份不纯带来的接触状况不良是造成器件较大低频1/f噪声的原因。

关键词： 低频噪声 背景辐射 金属杂质 碲镉汞 波光导探测器

作者: 任仁 乔辉 刘大福 孔令才 张燕 李向阳

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 二〇〇六年全国光电技术学术交流会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 576-579

在线出版日期: 2006-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）