ZnSe基片上制备二氧化钒薄膜及退火改变组分研究
VO2作为相变材料在激光防护领域有着广阔的应用前景,为了提高透过率,本文采用在红外波段透过率为70％的ZnSe做基片,用磁控溅射法制备了VO2薄膜.对不同条件下制备的VO2薄膜用X射线电子能谱仪(XPS)测试,并通过拟合来得到VO,V2O3,VO2和V2O5在薄膜中所占的比例.为提高4价钒的含量对薄膜进行了退火处理,根据薄膜中的钒氧的比例,采用了充氧加热退火,退火时间4h,退火温度450℃,退火真空度2.5×10-2pa,氧气流量6.5sccm.4价钒含量提高到了接近60％,分析了退火对氧化钒薄膜中4价钒含量的影响.
激光防护 二氧化钒 相变 退火 磁控溅射
田雪松 刘金成 李连江 王骐
哈尔滨工业大学,光电子技术研究所,黑龙江,哈尔滨,150001
国内会议
成都
中文
191-194
2006-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）