基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器
(0) 采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs量子阱红外探测器(QWIP)单元测试器件和128×128、128×160和256×256AlGaAs/GaAsQWIP焦平面探测器阵列.用液氮温度下的暗电流和傅里叶红外响应光谱对单元测试器件进行了评估,针对不同材料结构,实现了9μm和10.9μm的截止波长;黑体探测率最高达到2.6×109cmHz1/2W.将128×128AlGaAs/GaAsQWIP阵列芯片与CMOS读出电路芯片倒装焊互连,成功演示了室温环境下目标的红外热成像;并对进一步提高QWIP组件成像质量的途径进行了讨论.
MOCVD技术 量子阱红外探测器 红外热成像
李献杰 刘英斌 冯震 过帆 赵永林 赵润 周瑞 娄辰 张世祖
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄,050051
国内会议
成都
中文
654-659
2006-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）