In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点的形貌和光学性质

摘要：

提出利用分子束外延方法生长In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点,并分析量子点的形貌和光学性质随GaAs隔离层厚度变化的特点.实验结果表明随着耦合量子点之间的GaAs隔离层厚度从2nm增加到10nm,In0.5Ga0.5As量子点密度增大,量子点的均匀性提高,Al原子向In0.5Ga0.5As量子点中的扩散减弱,而且In0.5Al0.5As材料的宽禁带特征使其可以作为降低暗电流的势垒.由此可见,选择合适的GaAs隔离层厚度形成In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点对于In0.5Ga0.5As量子点红外探测器的研究和应用很有益.

关键词： 量子点 应变耦合 光荧光谱

作者: 杨晓杰 马文全 陈良惠

作者单位: 中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 二〇〇六年全国光电技术学术交流会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 642-645

在线出版日期: 2006-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）