PECVD沉积SiO2和SiNx对p-GaN的影响
(0) 在PECVD沉积SiO2和SiNx掩蔽层过程中,分解等离子体中存在较高浓度的H原子使得Mg-受主钝化和在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的N+v空位,高能量离子轰击造成材料深能级缺陷增多以及沉积形成的SiO2和SiNx材料致密性的阻碍H原子向外扩散,使得H原子在Ni/Au电极与p-GaN的界面处聚集,造成p-GaN近表面附近区域Mg-H络合物密度的提高,空穴浓度急剧下降,导致Ni/Au透明电极I-V特性的严重恶化.选择较低的射频功率(15W,13.56MHz)沉积模式并经过适当的退火,可以减小沉积SiO2过程对p-GaN的影响.
PECVD SiO2 SiNx p-GaN I-V特性
陈宇 严丽红 王良臣
中科院半导体研究所,集成技术中心,北京,100083
国内会议
成都
中文
631-636
2006-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）