InGaAs可见/短波红外焦平面探测器新进展
In1-xGaxAs是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,其光谱响应截止波长可随合金组分X值的不同在0.87μm(GaAs)至3.5μm(InAs)范围内变化.随着InGaAs材料在光通讯领域的广泛应用,及可在常温下工作的特点,促使其在焦平面成像领域的研究快速升温,形成热点.国际市场已有商业化产品,应用涉及民用、军用、航空、空间遥感等领域.在介绍In1-xGaAs短波红外(SWIR)焦平面(FPA)探测器的主要特性及研制进展的基础上,重点介绍了国际上在InGaAs光谱响应范围向可见光扩展的研究动向.
InGaAs 焦平面 红外探测器 化合物半导体
陈洪钧 周航宇
天津津航技术物理研究所,天津,300192
国内会议
成都
中文
595-599
2006-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）