基于IEP的高密度等离子体刻蚀过程终点检测技术

摘要：

高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程的缩小及器件集成密度的提高,对刻蚀过程终点的准确判断是目前所面临的一个严峻考验,传统的OES终点检测技术已经远远不能满足深亚微米刻蚀工艺需求.本文讨论了IEP终点检测技术的原理,针对多晶硅栅的等离子体刻蚀工艺,讨论了IEP终点检测技术在深亚微米刻蚀工艺中的应用,IEP预报式终点检测技术已经运用在新近研发的HDP刻蚀机的试验工艺上,最后对IEP终点检测技术未来的发展趋势进行了展望.

关键词： IEP 等离子体 刻蚀工艺 终点检测

作者: 王巍 兰中文 吴志刚 姬洪

作者单位: 重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川成都,610054 四川师范大学,工程技术系,四川,成都,610071

会议类型: 国内会议

会议名称: 二〇〇六年全国光电技术学术交流会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 105-108

在线出版日期: 2006-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）