用吉时利4200-SCS和590 CV分析仪测试MOS结构的界面态

摘要：

本文用吉时利4200-SCS和590CV分析仪测出MOS结构的高低频C-V特性曲线,计算出MOS结构Si/SiO2的界面态密度与电压的关系.根据MOS结构上所加电压与表面势的关系,以及在禁带中表面势与能量之间的关系,求出电压与能量的关系.最后得到界面态密度在禁带中按能量的分布.

关键词： 吉时利 MOS 界面态 分析仪

作者: 董金珠 刘海涛 张建新 江美玲 梁平治

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100049 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国测控、计量、仪器仪表学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1025-1028

在线出版日期: 2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）