LB技术制备的ZrO2纳米薄膜摩擦学行为

在单晶硅表面制得花生酸锆Langmuir-Blodgett薄膜,对该薄膜在500℃条件下热处理30min,得到致密ZrO2薄膜.利用AFM,XPS,SEM对其结构和形貌进行表征,摩擦磨损试验结果表明,利用该方法制备的ZrO2薄膜表现出良好的减摩抗磨性能.
ZrO2纳米薄膜 LB薄膜 摩擦学行为 单晶硅 减摩抗磨性能
张晓峰 叶滨 戴树玺 杜祖亮 张平余
河南大学特种功能材料重点实验室,河南,开封,475001
国内会议
哈尔滨
中文
82-83,86
2006-07-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)