一种多参数集成式传感器中的温度传感器研究
本文利用半导体掺杂技术,制作一种适用于多参数集成式传感器的硅热阻传感器.该传感器针对本征半导体硅离子注入硼离子形成P+电阻,其电阻率随着温度的变化在一定范围内呈线性变化的原理而制作.为避免集成传感器中压力测量时对温度部分的影响,温度检测电阻沿压阻系数最小的晶向”100”布置.硅热阻传感器具有良好的线性度,灵敏度高(11.3/℃),迟滞性好.单晶硅掺杂工作的范围比较小,要运用到较广的范围需要其他隔离措施.
离子注入 扩散硅 温度传感器 集成式传感器 多参数
周建发 赵立波 赵玉龙 苑国英
西安交通大学精密工程研究所,西安,710049 机械制造系统国家重点实验室
国内会议
西安
中文
518-520
2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）