基于非晶硅薄膜晶体管的非制冷红外探测器

摘要：

本文研究了非制冷红外探测器的敏感元件--非晶硅薄膜晶体管,成功制备了接触层离子注入型的非晶硅薄膜晶体管,并得到了良好的电特性和热电特性.基于此敏感单元的非制冷红外探测器工艺制备简单,制备温度不超过300℃,并能常规IC工艺兼容.

关键词： 非晶硅薄膜晶体管 硼离子注入 非制冷红外探测器 电流温度系数 敏感元件

作者: 韩琳 刘兴明 刘理天

作者单位: 清华大学微电子学研究所,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国敏感元件与传感器学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 500-502

在线出版日期: 2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）