MgO衬底NbN/AlN/NbN多层膜的制备

摘要：

本文主要讨论磁控溅射设备制备的NbN/AlN/NbN三层结构的技术工艺,为制备All-NbN的NbN/AlN/NbNSIS隧道结作准备.在室温下利用直流磁控溅射工艺制备了单晶NbN薄膜,并对其超导电性做了初步的研究;又利用射频磁控溅射工艺制备了取向较好的AlN薄膜.利用磁控溅射方法制作NbN/AlN/NbN多层薄膜,然后对制备SIS隧道结进行了一些探索.

关键词： 氮化铌 氮化铝 多层膜 超导电性 射频磁控溅射 SIS隧道结

作者: 施建荣 康琳 蔡卫星 陈亚军 吉争鸣 吴培亨

作者单位: 南京大学超导电子学实验室,南京,210093

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国超导学术研讨会

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 272-275

在线出版日期: 2003-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）