会议专题

利用”掩膜-无掩膜”腐蚀技术制作硅微加速度计

本文介绍了体硅”掩膜-无掩膜”腐蚀的工作原理;以摆片式硅微加速度计敏感芯片的制作为例详细介绍了”掩膜-无掩膜”的工艺流程;利用该方法成功制作出摆片式硅微加速度传感器的对称梁-质量块结构.经测试该加速度计性能如下:量程±50g,分辨率3×10-3g,非线性<5×10-4,重9.6g,具有广阔的应用前景.

掩膜 腐蚀 硅微加速度计 MEMS

单光宝 姚军 阮晓明 王永录

西安微电子技术研究所,西安,710054

国内会议

第九届全国敏感元件与传感器学术会议

西安

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154-156

2005-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)