利用”掩膜-无掩膜”腐蚀技术制作硅微加速度计
本文介绍了体硅”掩膜-无掩膜”腐蚀的工作原理;以摆片式硅微加速度计敏感芯片的制作为例详细介绍了”掩膜-无掩膜”的工艺流程;利用该方法成功制作出摆片式硅微加速度传感器的对称梁-质量块结构.经测试该加速度计性能如下:量程±50g,分辨率3×10-3g,非线性<5×10-4,重9.6g,具有广阔的应用前景.
掩膜 腐蚀 硅微加速度计 MEMS
单光宝 姚军 阮晓明 王永录
西安微电子技术研究所,西安,710054
国内会议
西安
中文
154-156
2005-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)