基于MOSFET的全分量应力传感器

摘要：

集成应力传感测试芯片是测量片上应力分布的有力工具.本文研究基于(111)硅片的全分量MOSFET应力传感器.相比于压阻型,MOSFET具有灵敏度高、占用面积小、与传统CMOS工艺兼容的优点.本文讨论了一种制作在(111)型硅片上的MOSFET型集成电路封装应力测试单元的设计.这种单元共有八个MOS晶体管,包括四个n型MOS晶体管和四个p型MOS晶体管,通过对八个晶体管进行合理的排布,使之具有除了上述优点之外,还能够对一个状态点全部六个应力分量进行测量.

关键词： MOSFET 全分量应力传感器 集成电路 晶体管

作者: 田阔 王喆垚 胡朝红 王建锋 刘理天

作者单位: 清华大学微电子学研究所,北京,100084 Intel Products Shanghai

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国敏感元件与传感器学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 137-140

在线出版日期: 2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）