高过载压阻式加速度传感器的研制
本研究应用MEMS(MicroElectro-MechanicalSystem)技术制作出硅微固态压阻平膜芯片,通过玻璃烧结工艺将敏感元件与带有质量块的弹性梁键合起来,制作出基于硅压阻效应的高过载加速度传感器.质量块两侧的保护结构可以提高传感器的过载能力,当施加在传感器的加速度超过满量程的2倍后,过载结构将阻止质量块的进一步位移,起到保护作用,满足高过载的要求,其中关键在于质量块与过载结构之间间隙的计算与装配工艺.当有加速度作用时,根据牛顿第二定律F=ma,可以近似假设有一集中力F作用在质量块上,通过有限元分析可知,这一假设是可行的.通过在质量块上加砝码的方式来测试所研制的加速度传感器的静态性能参数,从实验和计算的结果看出,研制的加速度传感器的精度为0.86﹪FS,灵敏度约为0.39mV/g/V,满足非常规武器在触发控制方面的要求.
MEMS 硅微固态压阻平膜芯片 弹性梁 压阻效应 传感器 玻璃烧结工艺
赵立波 赵玉龙 蒋庄德
西安交通大学机械工程学院精密工程研究所,西安,710049 机械制造系统工程国家重点实验室,西安,710049 陕西省微型机械电子系统研究中心,西安,710049
国内会议
西安
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124-127
2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）