单片集成传感器中的阳极键合封装技术

摘要：

本文分析了阳极键合工艺的原理及其工艺条件对CMOS电路的影响,并通过理论分析和实验研究了单片集成MEMS中的两种阳极键合方法:对于玻璃在硅片上方的键合方式,通过在电路部分上方玻璃上腐蚀一定深度的腔及用氮化硅层保护电路可以在很大程度上减轻阳极键合工艺的影响;而玻璃在硅片下方的键合方式,硅片上的电路几乎不受阳极键合工艺的影响.应用中两种方法各有优缺点.

关键词： 单片集成 传感器 阳极键合 封装 电路保护

作者: 祁雪 黄庆安 秦明 张会珍 樊路加

作者单位: 东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国敏感元件与传感器学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 36-39

在线出版日期: 2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）