化学气相沉积制备MgB2超导薄膜

摘要：

本文报道了利用化学气相沉积技术制备MgB2超导薄膜.首先在MgO(111)基片上化学气相沉积一层B膜,然后在Mg蒸气环境下对B膜进行后退火处理.退火后得到的MgB2薄膜在MgO(111)基片上呈随即取向生长,Mg、B原子比接近于1∶2.4;薄膜表面光滑致密,晶粒粒度约为0.5μm.电阻测量和直流磁测量表明薄膜超导转变温度为38K,转变宽度仅为0.1K.毕恩公式计算结果显示MgB2薄膜的临界电流密度在0T、10K时高达2×107A/cm2.

关键词： 二硼化镁 超导薄膜 化学气相沉积 临界电流密度

作者: 王淑芳 周岳亮 朱亚斌 刘震 张芹 陈正豪 吕惠宾 杨国桢

作者单位: 光物理开放实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国超导学术研讨会

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 230-233

在线出版日期: 2003-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）