ZnO同质p-n结的研究

摘要：

调节反应气体中O2的比例和RF电源的功率可以增加本征施主VO的形成焓,降低本征受主VZn和O1的形成焓,制备出p型ZnO薄膜;采用掺杂金属Al制备出低电阻n型ZnO薄膜,在此基础上得到性能可观的ZnO同质p-n结。

关键词： p型ZnO薄膜 同质p-n结 金属Al掺杂 焓

作者: 杨晓杰 许小亮 谢家纯 徐传明 徐军 刘洪图

作者单位: 中国科技大学物理系,合肥,230026 中国科技大学物理系,合肥,230026;中国科学院中国科技大学结构分析重点实验室,合肥,230026 中国科技大学物理系,合肥,230026;中国科技大学精密机械与精密仪器系,合肥,230027

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国真空学会第六届全国会员代表大会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 101-104

在线出版日期: 2004-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）