DMCPS电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH低介电常数薄膜结构及物性研究

摘要：

本文采用电子回旋共振(ECR)等离子体技术和十甲基环五硅氧烷(DMCPS)源开展了SiCOH薄膜的研究工作,获得了介电常数为2.88的SiCOH低介电常数薄膜.薄膜经400℃热处理后,膜厚减小,最大相对变化率小于15﹪,呈现较好的热稳定性.薄膜在1MV/cm场强下的漏电流为8.9×10-6A/cm2,且场强达到2.5MV/cm时,未发生击穿现象,具有较优越的绝缘性能.因此,采用ECR-CVD技术和DMCPS源可以制备热稳定性优良的、绝缘性能优越的低介电常数SiCOH薄膜。

关键词： 低介电常数薄膜 电子回旋共振 等离子体沉积 薄膜结构 绝缘性能 SiCOH薄膜

作者: 叶超 宁兆元 王婷婷 俞笑竹

作者单位: 苏州大学物理科学与技术学院,苏州,215006

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国真空学会第六届全国会员代表大会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 97-100

在线出版日期: 2004-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）