CVD法和丝印法制作的碳纳米管场致发射冷阴极的研究

摘要：

本文研究了丝网印刷法和CVD生长法制备的碳纳米管冷阴极的场致发射性能.结果表明,在没有模板的情况下,通过CVD生长的碳纳米管的直径与催化剂颗粒的直径有关,随催化剂颗粒的直径变化而变化,生长方向足随机的,但大电流发射稳定性较差;用丝网印刷方法制作的碳纳米管致发射冷阴极,场发射电流发射较稳定。

关键词： 碳纳米管 丝网印刷法 场发射冷阴极 CVD法 场致发射

作者: 穆辉 张晓兵 雷威 娄朝刚 朱春晖

作者单位: 东南大学电子工程系,南京,210096

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国真空学会第六届全国会员代表大会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 83-85

在线出版日期: 2004-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）