利用红外反射谱测定微纳米硅粉中的多数载流子浓度
本论文的目的是测定纳米硅粉中的多数载流子浓度,主要从两种手段进行研究.一种是通过测量微纳米硅粉压片的红外反射谱,利用等离子共振极小点的方法测定半导体多数载流子的浓度;另一种方法是通过测量压片前硅片电阻率推算出多数载流子浓度.我们已通过试验证明两种测试方法的结果是一致的,这样对于其他未知杂质浓度的纳米硅粉就可以通过测量红外光谱极小点来推算出多数载流子浓度.
微纳米硅粉 红外反射谱 电阻率 杂质浓度 多数载流子浓度
孙以材 潘国峰 程东升 王守江 宫云梅
河北工业大学信息学院微电子研究所,天津,300130
国内会议
西安
中文
550-553
2005-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)