CMOS模拟集成温度传感器的设计

摘要：

本文设计了一种高性能的CMOS模拟集成温度传感器,并在电路中设计了ESD保护电路和启动电路,以保证电路工作点正常与性能优良.该电路具有结构简单、工作电压低、电源抑制比高和线性度良好的特点.采用HSPICE对该温度传感器电路进行了模拟仿真,仿真结果表明其电源抑制比可以达到64dB,在-50℃～150℃温度范围内,电压温度系数可以达到2.9mV/K,线性度良好.

关键词： CMOS 集成温度传感器 ESD保护 启动电路 电源抑制比

作者: 钟灿 林凡 李静 黄暄 郭东辉 吴孙桃

作者单位: 厦门大学,物理系;萨本栋微机电研究中心,厦门,361005 萨本栋微机电研究中心,厦门,361005 厦门大学,物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国敏感元件与传感器学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 533-536

在线出版日期: 2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）