Ti/Al/p型4H-SiC欧姆接触模型的研究

摘要：

本文通过使用器件模拟软件ISETCAD,对Ti/Al基金属在p型4H-SiC上形成欧姆接触的机理进行了研究,同时对传输线模型(TLM)进行了二维I-V特性模拟,得到了影响欧姆接触比接触电阻的关键因素.

关键词： SiC 欧姆接触 传输线模型 二维I-V特性模拟

作者: 张健 张义门 张玉明 郭辉

作者单位: 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 61-64

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）