侧墙铬衰减型新结构移相掩模应用研究
光刻技术一直是集成电路工业发展中的重要推动力,移相掩模是提高光刻分辨率的重要分辨率增强技术.在65nm节点及以下的光学光刻中,为了保证在高分辨率前提下获得足够的焦深,通常需要衰减型移相掩模+离轴照明或者交替型移相掩模+高相干度常规照明的解决方案.本文提出了一种全新的移相掩模-侧墙铬衰减型移相掩模(SCAPSM),相对于通常的衰减型移相掩模,其制造工艺仅多两步,却可以较大幅度提高光刻分辨率.采用PROLITH光学光刻模拟软件,参考ArF步进扫描投影光刻机TWINSCANXT:1400E的曝光参数.,对侧墙铬衰减型移相掩模的工艺进行了研究,证明SCAPSM+离轴照明的方案可以将干式193nm光学光刻的分辨率提高到50nm.
光学光刻 衰减型移相掩模 离轴照明 数值孔径 PROLITH
谢常青 刘明 陈宝钦 叶甜春
中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室
国内会议
北京
中文
57-60
2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）