AlGaN/AlN/GaN HEMTs电流崩塌效应研究

摘要：

本文采用AlN插入层改善材料结构,研究了AlN插入层对AlGaN/GaNHEMTs电流崩塌效应的影响.直流应力条件下,AlGaN/GaNHEMTs的输出电流显著减小,膝点电压和阈值电压也有较大程度的退化,出现严重的电流崩塌现象;相同应力条件,AlGaN/AlN/GaNHEMTs的电流崩塌现象有显著改善,表明AlN插入层能有效抑制电流崩塌效应.AlN插入层能增加异质结的带隙差△Ec,提高AlGaN势垒高度,减小热电子向AlGaN表面遂穿,从而加强沟道2DEG的量子效应,抑制电流崩塌效应.

关键词： 半导体材料 电流崩塌 插入层

作者: 李诚瞻 刘键 刘新宇

作者单位: 中国科学院微电子研究所,北京,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 495-498

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）