4H-SiC MESFET的最佳源、负载阻抗特性研究

摘要：

本文研究了高频下4H-SiCMESFET的最佳源、负载阻抗,综合考虑封装产生的寄生效应给出了最佳源、负载阻抗的解析表达式,并分析了极间电容和寄生电感对源、负载阻抗的影响.

关键词： 功率晶体管 微波器件 碳化硅

作者: 秦信刚 张义门 张玉明

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体重点实验室,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 477-480

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）