自旋极化电流从铁磁金属注入半导体的研究

摘要：

本文通过求解一维定态薛定谔方程,得到自旋电子直接遂穿金属-半导体肖特基势垒的自旋极化率.在偏压很小时,自旋极化电流没有足够的能量来越过势垒,在偏压适中时,可以达到相当大的自旋极化率,在没有绝缘层的情况下,选择合适的半导体例如AlGaAs/GaAs,由于金半接触形成的肖特基势垒起到了自旋相关势垒的作用,同样可以获得可观的自旋极化率.

关键词： 肖特基势垒 自旋极化率 直接隧穿

作者: 吴云 张玉明 张义门 黄戈楠

作者单位: 教育部宽禁带半导体材料重点实验室,西安,710071 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 473-476

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）