条形单胞VDMOSFET特征导通电阻的物理模型

摘要：

本文推导出了条形单胞VDMOSFET的特征导通电阻的数学模型，并以(55V/30A)功率VDMOSFET的设计为例，根据此模型的计算数据确定器件单胞尺寸。

关键词： 集成电路 芯片设计 导通电阻

作者: 宋文斌 韩郑生 石广源 高嵩 永福

作者单位: 中国科学院微电子研究所,北京,100029 辽宁大学物理系,辽宁,沈阳,110036

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 460-464

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）