带栅极定位镀膜硅微尖锥阵列研制及其场发射特性研究

摘要：

本文介绍了制备带栅极定位镀膜硅微尖锥阵列的技术,并对面积为0.25mm2、40×40DLC薄膜的硅微尖锥阵列的样品进行了场发射特性测试,在栅极电压为200V时获得0.23A/cm2的发射电流密度.

关键词： 冷阴极材料 半导体薄膜 硅微尖锥

作者: 佘峻聪 何浩 邓少芝 陈军 许宁生

作者单位: 光电材料与技术国家重点实验室,显示材料与技术广东省重点实验室,中山大学,广州,510275

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 481-482

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）