SOI多晶硅栅控二极管抗ESD研究

摘要：

本文设计并制造了SOI多晶硅栅控二极管抗ESD电路,采用HBM模型对其进行抗ESD研究,分析了沟道长度、宽度和多指结构对器件抗ESD能力的影响,获得ESD失效电压高达4kV以上的SOI多晶硅栅控二极管保护电路.

关键词： 集成电路 芯片设计 静电保护 硅栅器件

作者: 许高博 汤仙明 韩郑生

作者单位: 中国科学院,微电子研究所,北京,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 456-459

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）