OLEDoS驱动电路中高压CMOS器件研究

摘要：

本文对工作电压在10V-18V范围内用于硅基OLED驱动电路的高压CMOS器件进行了模拟.在SynopsysTCAD软件环境下,模拟了栅长为0.8μm的NMOS和PMOS器件,通过不断调整LDD区域的长度及杂质浓度,使器件的击穿电压达30V.同时,确定了关键的工艺参数,并计算了器件的主要特性,为OLEDoS驱动电路的实现打下了基础.

关键词： 微显示技术 集成电路 驱动电路

作者: 王晓慧 杜寰 韩郑生

作者单位: 中国科学院微电子研究所,北京,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 448-452

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）