一种准确的射频大功率4H-SiC MESFET沟道电流模型

摘要：

本文在对4H-SiCMESFET器件工作机理分析研究的基础上,提出了一种适合射频大功率器件的Ids(Vgs,Vds)模型,并针对两种不同结构尺寸的4H-SiCMESFET器件,用MATLAB对此模型进行了模拟,模拟结果与测量数据符合较好.

关键词： 微波器件 沟道电流 碳化硅

作者: 刘卫兵 张义门 张玉明 吕红亮

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体重点实验室,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 436-439

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）