C波段8W PHEMT功率管的设计

摘要：

本文介绍了C波段PHEMT功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用高质量PHEMT材料,成功地制作了单胞9.6mm栅宽的芯片.经内匹配,合成器件在C波段得到3.7～4.2GHz,输出功率8W,增益10dB,效率45﹪的良好结果.

关键词： 功率晶体管 半导体材料 工艺设计

作者: 邱旭 邢东 权东利 余若祺

作者单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所,050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 421-423

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）