一种抗单粒子翻转的SOI器件结构

摘要：

本文介绍了SOI器件的可偏压隔离阱结构,对这种结构进行抗单粒子翻转的可能性进行了分析,对采用此结构的反相器的抗单粒子翻转性能利用器件模拟软件Medici和电路模拟软件Hspice进行了模拟.

关键词： 半导体器件 单粒子翻转 器件结构

作者: 贺威 张正选

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 409-412

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）