LDMOS漂移区结构优化的模拟

摘要：

本文对LDMOS漂移区结构优化进行了研究。文章采用DoubleRESURF新结构,使漂移区更易耗尽.从理论和模拟上验证了DoubleRESURF在漂移区浓度不变时对击穿电压的提高作用以及在保持击穿电压不变的情况下减小导通电阻的效果.

关键词： 功率器件 氧化物晶体管 表面电场 晶体管结构

作者: 徐亮 刘先锋 郑国祥

作者单位: 复旦大学材料科学系,上海,200433 上海新进半导体制造有限公司,200233

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 394-400

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）