一种含有曲率校正方法的CMOS带隙基准源

摘要：

本文设计了一种用于电子镇流器片内的高性能带隙电压基准源.电路采用了不同材料电阻的比值来进行曲率校正.基于某0.6umN阱CMOS混合信号模型的仿真结果表明:在5V电压下,输出基准电压值在-20℃至120℃之间的温度系数为7.7ppm,在27℃室温下,输出基准电压值在5V至8V之间的电压的电源抑制比为-60.88dB.

关键词： 集成电路 带隙基准 曲率校正 芯片设计

作者: 史侃俊 许维胜 余有灵

作者单位: 同济大学,控制科学与工程系,上海,200092

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 266-270

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）