1.6-V,24ppm/℃,宽温度范围CMOS带隙基准源电路

摘要：

本文提出了一种与电源电压和温度无关的低输出带隙基准电路原理及结构.该电路基于0.18μm标准CMOS工艺制造,工作电源电压在1.6V至2.8V的变化范围内,能获得853mv的输出参考电压,在-20℃到120℃的温度范围内温度系数为24ppm/℃,在低于10kHz的频率下其电源抑制比为-66dB.该带隙基准电路已成功应用于低功耗CMOS图象传感器中.

关键词： 集成电路 电路结构 带隙基准

作者: 马建斌 计峰 金湘亮 陈杰

作者单位: 山东大学物理与微电子学院,济南,250100;中国科学院微电子研究所,北京,100029 山东大学物理与微电子学院,济南,250100 中国科学院微电子研究所,北京,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 98-101

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）