SiGe HBT低噪声线性放大器设计

摘要：

本文介绍了一种SiGeHBT双基极偏置的线性低噪声放大器,这种放大器可以在不降低噪声系数的情况下提高电路的1dB压缩点.在小信号区域,传统的基极偏置电路为放大管的基极提供偏置电流.在大信号区域,可变电流偏置电路中的二极管为基极提供偏置电流.本文中采用的电路是将两种偏置同时为基极提供偏置电流,一种为传统的芯片集成电阻偏置,一种为芯片集成二极管偏置.最后用ADS软件对电路进行了仿真.

关键词： 双基极偏置 异质结双极晶体管 SiGe 线性低噪声放大器

作者: 马何平 戴显英

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 483-486

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）